Détails techniquesMarchand Samsung Poids et dimensionsPoids 8 g CaractéristiquesLe chiffrement matériel OuiFlux de données d'interface PCI Express x4Vitesse de lecture 3500 Mo/sVitesse d'écriture 3000 Mo/sInterface PCI Express 3.0Facteur de forme SSD M.2NVMe OuiVersion NVMe 1.4Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AESTemps moyen entre pannes 1500000 hCapacité du Solid State Drive (SSD) 1000 GoType de mémoire V-NANDSupport S.M.A.R.T. OuiÉcriture aléatoire (4KB) 480000 IOPSLecture aléatoire (4KB) 500000 IOPScomposant pour PC/ordinateur portable PuissanceTension de fonctionnement 3.3 VConsommation (max) 5.3 WConsommation d'énergie (moyenne) 4.6 W Conditions environnementalesTempérature d'opération 0 - 70 °CVibrations en fonctionnement 1500 G
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Fiche technique
- Capacité du Solid State Drive (SSD)
- 1000 Go
- Poids
- 8 g
- Interface
- PCI Express 3.0
- Marchand
- Samsung
- Température d'opération
- 0 - 70 °C
- Temps moyen entre pannes
- 1500000 h
- Consommation (max)
- 5.3 W
- Algorithme de sécurité soutenu
- 256-bit AES
- Support S.M.A.R.T.
- Oui
- Facteur de forme SSD
- M.2
- composant pour
- PC/ordinateur portable
- Vitesse de lecture
- 3500 Mo/s
- Vitesse d'écriture
- 3000 Mo/s
- Type de mémoire
- V-NAND
- Le chiffrement matériel
- Oui
- Flux de données d'interface PCI Express
- x4
- NVMe
- Oui
- Version NVMe
- 1.4
- Écriture aléatoire (4KB)
- 480000 IOPS
- Lecture aléatoire (4KB)
- 500000 IOPS
- Tension de fonctionnement
- 3.3 V
- Consommation d'énergie (moyenne)
- 4.6 W
- Vibrations en fonctionnement
- 1500 G