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SSD M.2 (2280) 250GB Samsung 970 EVO Plus (NVMe) TCG Opal Encryption

65,20 €
TTC
M.2 Facteur de forme SSD
  Garanties sécurité

(à modifier dans le module "Réassurance")

  Politique de livraison

(à modifier dans le module "Réassurance")

  Politique retours

(à modifier dans le module "Réassurance")

  • Détails techniques
  • Marchand Samsung
  • Poids et dimensions
  • Hauteur 22.1 mm
  • Largeur 80.2 mm
  • Profondeur 2.38 mm
  • Poids 8 g
  • Autres caractéristiques
  • Date de lancement 1/22/2019
  • Caractéristiques
  • Le chiffrement matériel Oui
  • Flux de données d'interface PCI Express x4
  • Vitesse de lecture 3500 Mo/s
  • Vitesse d'écriture 2300 Mo/s
  • Interface PCI Express 3.0
  • Facteur de forme SSD M.2
  • Type de contrôleur Samsung Phoenix
  • NVMe Oui
  • Version NVMe 1.3
  • Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) Oui
  • Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AES
  • Temps moyen entre pannes 1500000 h
  • Capacité du Solid State Drive (SSD) 250 Go
  • Type de mémoire V-NAND MLC
  • Support S.M.A.R.T. Oui
  • Support TRIM Oui
  • Écriture aléatoire (4KB) 550000 IOPS
  • Lecture aléatoire (4KB) 250000 IOPS
  • composant pour PC
  • Puissance
  • Tension de fonctionnement 3.3 V
  • Consommation électrique (idle) 0.003 W
  • Consommation (max) 8 W
  • Consommation d'énergie (moyenne) 5 W
  • Conditions environnementales
  • Température d'opération 0 - 70 °C
  • Informations sur l'emballage
  • Logiciels fournis Magician Software for SSD management
  • Type d'emballage Boîte
2190505

Fiche technique

Capacité du Solid State Drive (SSD)
250 Go
Hauteur
22.1 mm
Largeur
80.2 mm
Profondeur
2.38 mm
Poids
8 g
Interface
PCI Express 3.0
Marchand
Samsung
Température d'opération
0 - 70 °C
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Consommation (max)
8 W
Type d'emballage
Boîte
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Support S.M.A.R.T.
Oui
Facteur de forme SSD
M.2
composant pour
PC
Logiciels fournis
Magician Software for SSD management
Vitesse de lecture
3500 Mo/s
Vitesse d'écriture
2300 Mo/s
Type de mémoire
V-NAND MLC
Support TRIM
Oui
Date de lancement
1/22/2019
Le chiffrement matériel
Oui
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Type de contrôleur
Samsung Phoenix
NVMe
Oui
Version NVMe
1.3
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Écriture aléatoire (4KB)
550000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB)
250000 IOPS
Tension de fonctionnement
3.3 V
Consommation électrique (idle)
0.003 W
Consommation d'énergie (moyenne)
5 W
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