Détails techniquesMarchand Samsung Poids et dimensionsHauteur 6.8 mmLargeur 69.8 mmProfondeur 100 mmPoids 46 g CaractéristiquesLe chiffrement matériel OuiTaux de transfert des données 6 Gbit/sVitesse de lecture 560 Mo/sVitesse d'écriture 530 Mo/sInterface Série ATA IIIFacteur de forme SSD 2.5Algorithme de sécurité soutenu 256-bit AESTemps moyen entre pannes 1500000 hCapacité du Solid State Drive (SSD) 4000 GoType de mémoire V-NAND MLCSupport S.M.A.R.T. OuiSupport TRIM OuiÉcriture aléatoire (4KB) 88000 IOPSLecture aléatoire (4KB) 98000 IOPScomposant pour PC/ordinateur portable PuissanceTension de fonctionnement 5 VConsommation (max) 4 WConsommation d'énergie (moyenne) 2.2 W Conditions environnementalesTempérature d'opération 0 - 70 °CChoc durant le fonctionnement 1500 G
2190706
Fiche technique
Capacité du Solid State Drive (SSD)
4000 Go
Hauteur
6.8 mm
Largeur
69.8 mm
Profondeur
100 mm
Poids
46 g
Interface
Série ATA III
Marchand
Samsung
Température d'opération
0 - 70 °C
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Consommation (max)
4 W
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Support S.M.A.R.T.
Oui
Facteur de forme SSD
2.5"
composant pour
PC/ordinateur portable
Taux de transfert des données
6 Gbit/s
Vitesse de lecture
560 Mo/s
Vitesse d'écriture
530 Mo/s
Type de mémoire
V-NAND MLC
Support TRIM
Oui
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Le chiffrement matériel
Oui
Écriture aléatoire (4KB)
88000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB)
98000 IOPS
Tension de fonctionnement
5 V
Consommation d'énergie (moyenne)
2.2 W
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