Détails techniquesMarchand Samsung Poids et dimensionsHauteur 22.1 mmLargeur 80.2 mmProfondeur 2.38 mmPoids 9 g CaractéristiquesLe chiffrement matériel OuiVitesse de lecture 7000 Mo/sVitesse d'écriture 5000 Mo/sInterface PCI Express 4.0Facteur de forme SSD M.2NVMe OuiVersion NVMe 1.3cAlgorithme de sécurité soutenu 256-bit WEPTemps moyen entre pannes 1500000 hCapacité du Solid State Drive (SSD) 1000 GoType de mémoire V-NAND MLCSupport S.M.A.R.T. OuiSupport TRIM OuiÉcriture aléatoire (4KB) 1000000 IOPSLecture aléatoire (4KB) 1000000 IOPScomposant pour PC PuissanceTension de fonctionnement 3.3 VConsommation (max) 8.9 WConsommation d'énergie (moyenne) 6.2 W Conditions environnementalesTempérature d'opération 0 - 70 °CChoc durant le fonctionnement 1500 G
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Fiche technique
- Capacité du Solid State Drive (SSD)
- 1000 Go
- Hauteur
- 22.1 mm
- Largeur
- 80.2 mm
- Profondeur
- 2.38 mm
- Poids
- 9 g
- Interface
- PCI Express 4.0
- Marchand
- Samsung
- Température d'opération
- 0 - 70 °C
- Temps moyen entre pannes
- 1500000 h
- Consommation (max)
- 8.9 W
- Algorithme de sécurité soutenu
- 256-bit WEP
- Support S.M.A.R.T.
- Oui
- Facteur de forme SSD
- M.2
- composant pour
- PC
- Vitesse de lecture
- 7000 Mo/s
- Vitesse d'écriture
- 5000 Mo/s
- Type de mémoire
- V-NAND MLC
- Support TRIM
- Oui
- Choc durant le fonctionnement
- 1500 G
- Le chiffrement matériel
- Oui
- NVMe
- Oui
- Version NVMe
- 1.3c
- Écriture aléatoire (4KB)
- 1000000 IOPS
- Lecture aléatoire (4KB)
- 1000000 IOPS
- Tension de fonctionnement
- 3.3 V
- Consommation d'énergie (moyenne)
- 6.2 W